Microchip DN3545 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 450 V / 130 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*

CHF.630.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
1000 +CHF.0.63CHF.635.25

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
170-4348
Herst. Teile-Nr.:
DN3545N3-G
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

450V

Gehäusegröße

TO-92

Serie

DN3545

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

740mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.33mm

Breite

4.19 mm

Länge

5.2mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


Verwandte Links

Recently viewed