Nexperia PMV20XNE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 170-5372P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF 32.75
Vorübergehend ausverkauft
- 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 17. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 600 | CHF 0.131 |
| 625 - 1225 | CHF 0.121 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.121 |
| 2500 + | CHF 0.121 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-5372P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PMV20XNE | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.94W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PMV20XNE | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.94W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.
N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Niedrige Schwellenspannung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM
Anwendungsbereiche
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen