Nexperia Doppelt NX3020NAKS N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 180 mA 1.1 W, 6-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 170-5396P
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3020NAKS,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF 17.75
Auf Lager
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 450 | CHF 0.071 |
| 500 - 1200 | CHF 0.061 |
| 1250 - 2450 | CHF 0.051 |
| 2500 + | CHF 0.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-5396P
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3020NAKS,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Trench-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Trench-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.
Zweifach-N-Kanal Halbleiter-Feldeffekttransistor Enhancement Mode (FET) in einem extrem kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET Technologie.
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
ESD-Schutz
Niedrige Schwellenspannung
Anwendungsbereiche
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen