Infineon IPD600N25N3 G N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 5-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-1948P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD600N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 40 | CHF 1.737 |
| 50 - 90 | CHF 1.636 |
| 100 - 240 | CHF 1.525 |
| 250 + | CHF 1.394 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1948P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD600N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | IPD600N25N3 G | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.47mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie IPD600N25N3 G | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.47mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPD600N25N3 Serie G MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IPD600N25N3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Leistungsschalt- und Umwandlungsaufgaben in kompakten oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste Handhabung der Drain-Source-Spannung und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines effizienten Schaltverhaltens erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 250 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 60 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerlastbetrieb
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine effektive Schaltsteuerung
• Die Durchlassspannung von 0.9 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Maximale Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine hohe Verarbeitungsleistung
• 60 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerlastbetrieb
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine effektive Schaltsteuerung
• Die Durchlassspannung von 0.9 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Maximale Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine hohe Verarbeitungsleistung
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für Frequenzumrichter mit Motorantrieb
• Wird mit Schaltnetzteilen für primäres Schalten verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Relais- und Magnettreiber
• Ideal für Frequenzumrichter mit Motorantrieb
• Wird mit Schaltnetzteilen für primäres Schalten verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Relais- und Magnettreiber
Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstart- als auch in Anlagen mit erhöhter Temperatur.
Wie ist es für die Montage an Baugruppen vorgesehen?
Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist, um die Integration auf kompakten Leiterplatten zu erleichtern.
Welche Gate-Drive-Einschränkungen sollten beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern, daher sollten die Gate-Treiber entsprechend ausgewählt werden.
Wie viele elektrische Anschlüsse sind für das Schaltungslayout verfügbar?
Die Komponente verfügt über fünf Stifte und bietet mehrere Anschlusspunkte für Drain, Source, Gate und Montage.