Infineon BSC12DN20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 11.3 A 50 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1952
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 171-1952
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC12DN20NS3 G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC12DN20NS3 G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS-Produkte sind leistungsführende Referenztechnologien, perfekt geeignet für synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe.
Höchster Wirkungsgrad
Höchste Leistungsdichte
Geringster Platzbedarf auf der Platine
Minimale Parallelschaltung erforderlich
Verbesserung der Systemkosten
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