Infineon BSC12DN20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 11.3 A 50 W, 8-Pin BSC12DN20NS3GATMA1 TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSC12DN20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

BSC12DN20NS3 G

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS-Produkte sind leistungsführende Referenztechnologien, perfekt geeignet für synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe.

Höchster Wirkungsgrad

Höchste Leistungsdichte

Geringster Platzbedarf auf der Platine

Minimale Parallelschaltung erforderlich

Verbesserung der Systemkosten

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