Infineon BSC040N10NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1973P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 171-1973P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC040N10NS5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 860mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC040N10NS5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 860mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon BSC040N10NS5 Serie MOSFET, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100 V maximale Drain-Source-Spannung - BSC040N10NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für kompakte Leistungsschritte auf Leiterplattenebene ausgelegt, bei denen geringe Leitungsverluste und eine hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät wird in einem flachen, bleifreien Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Montage und das Wärmemanagement geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen die Handhabung hoher Lasten
• 100 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Hochspannungsschaltung
• 5.6 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 58 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Die maximale Verlustleistung von 139 W ermöglicht einen erheblichen Wärmedurchsatz
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V gewährleistet einen robusten Gate-Drive-Bereich
• 100 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Hochspannungsschaltung
• 5.6 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 58 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Die maximale Verlustleistung von 139 W ermöglicht einen erheblichen Wärmedurchsatz
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V gewährleistet einen robusten Gate-Drive-Bereich
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Ideal für Motorumrichter-Halbbrückenstufen auf Oberflächenplatinen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Stromstärken erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Nützlich in Server-Stromversorgungsmodulen, bei denen die thermische Dichte eine Rolle spielt
• Ideal für Motorumrichter-Halbbrückenstufen auf Oberflächenplatinen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Stromstärken erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Nützlich in Server-Stromversorgungsmodulen, bei denen die thermische Dichte eine Rolle spielt
Welche thermischen Betriebsgrenzwerte ist zu erwarten?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit erhöhter Temperatur, ohne dass die typischen Verlustleistungsüberlegungen überschritten werden.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Leiterplattendesign bei der Wärmeableitung aus?
Das bedrahtlose 8-polige TDSON-Gehäuse und das 1,1-mm-Profil ermöglichen eine enge Platzierung der Komponenten und erleichtern gleichzeitig die Wärmeleitung in Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen für eine verbesserte Wärmeableitung.
Welche Gate-Drive-Bedenken werden für eine zuverlässige Schaltung empfohlen?
Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs begrenzt werden sollten und bei der Anpassung des Treiberstroms an die gewünschte Übergangszeit die typische Gate-Ladung von 58 nC berücksichtigen sollten.
Wie verhält sich das Gerät in Bezug auf die Leitfähigkeit?
Mit einem geringen Einschaltwiderstand von 5,6 mΩ und einer hohen Dauerstromfähigkeit minimiert er I2R-Verluste während der Leitung und verbessert die Gesamteffizienz des Systems bei erheblichen Lastströmen.