Infineon BSC035N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1985P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC035N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 40 | CHF.1.176 |
| 50 - 90 | CHF.1.145 |
| 100 - 240 | CHF.1.124 |
| 250 + | CHF.1.092 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1985P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC035N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC035N10NS5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC035N10NS5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35 mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon BSC035N10NS5 ist der 100-V-OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET, der für synchrone Gleichrichtung optimiert ist und sich ideal für hohe Schaltfrequenzen eignet.
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte