Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
171-2202
Herst. Teile-Nr.:
TPH4R50ANH
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

93A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberKleines, dünnes GehäuseHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 22 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

Verwandte Links