Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
171-2202
Herst. Teile-Nr.:
TPH4R50ANH
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

93A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberKleines, dünnes GehäuseHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 22 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

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