Toshiba TPWR8503NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 142 W, 8-Pin DSOP
- RS Best.-Nr.:
- 171-2373P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPWR8503NL
- Marke:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
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- 171-2373P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPWR8503NL
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails
Hocheffiziente DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 16 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,0 mΩ (typ.) (VGS = 4,5 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 30 V)Verbesserungsmodus: Vth = 1,3 bis 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | DSOP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
| Verlustleistung max. | 142 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 5mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Länge | 5mm |
| Höhe | 0.73mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |