Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-2385P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN14006NH,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF 0.505 |
| 100 - 990 | CHF 0.455 |
| 1000 - 2990 | CHF 0.444 |
| 3000 + | CHF 0.434 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2385P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN14006NH,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Breite | 3.1mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Breite 3.1mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
SchaltspannungsreglerMotortreiberDC/DC-WandlerHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 5,5 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 11 Ω (typ.)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)