Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-2390P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN2R304PL
- Marke:
- Toshiba
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- TPN2R304PL
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 850μm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 850μm | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Hocheffiziente DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 10,8 nC (typ.)Geringe Ausgangsladung: Qoss = 27 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Verbesserungsmodus: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)