- RS Best.-Nr.:
- 171-2399
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K333R
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2399
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K333R
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
4,5-V-Ansteuerung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RDS(ON) = 42 mΩ (max.) (@VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RDS(ON) = 42 mΩ (max.) (@VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 42 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
Verlustleistung max. | 2 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Breite | 1.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,4 nC @ 4,5 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 2.9mm |
Höhe | 0.8mm |