Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 171-2422
- Herst. Teile-Nr.:
- TK33S10N1Z
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- TK33S10N1Z
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 8,2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 8,2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 33 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9,7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 7mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Länge | 6.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 2.3mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 171-2422
- Herst. Teile-Nr.:
- TK33S10N1Z
- Marke:
- Toshiba