Toshiba Einfach N-Kanal 1, SMD MOSFET 100 V Erweiterung / 3.5 A 2.4 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-2477P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K361R
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2477P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K361R
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 92mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 700μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 92mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 700μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Stromverwaltungsschalter
DC/DC-Wandler
175 MOSFET
4,5-V-Antrieb
Geringer Ablass-Quelle-Widerstand im eingeschalteten Zustand
RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (bei VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (bei VGS = 10 V)