onsemi NTTFS4C02N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 29 A 4.2 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 171-8365
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS4C02NTAG
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 171-8365
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS4C02NTAG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NTTFS4C02N | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NTTFS4C02N | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET, 30 V, 170 A, 2,25 mOhm, einfacher N-Kanal μ8FL
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von LeitungsverlustNiedrige Kapazität zur Minimierung von TreiberverlustOptimierte Gate-Ladung zur Minimierung von SchaltverlustenDiese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-freiAnwendungsbereichDC/DC-WandlerNetzlastschalterNotebook-Akku-Management
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