ROHM TT8J3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 1,25 W, 8-Pin TSST

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RS Best.-Nr.:
171-9917P
Herst. Teile-Nr.:
TT8J3TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2,5 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TSST

Serie

TT8J3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

160 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,25 W

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

3.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,8 nC @ 5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.8mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Der TT8J3 ist ein MOSFET in komplexer Bauweise (Pch+Pch) für Schaltanwendungen.

Niedriger Betriebswiderstand.
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei.
Anwendungen:
POS (Point-of-Sales-System)