ROHM RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 172-0456
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P130SPTL1
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der RD3P130SP ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 13 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Serie | RD3P130SP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 230 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 20 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 6.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.8mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 2.3mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |