RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal MOSFET, 100 V / 13 A, 20 W, TO-252 2 + Tab-Pin

  • RS Best.-Nr. 172-0456
  • Herst. Teile-Nr. RD3P130SPTL1
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Der RD3P130SP ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 13 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße TO-252
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 2 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. 230 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 20 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie RD3P130SP
Höhe 2.3mm
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
Breite 6.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.8mm
50 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .1.381
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 240
CHF.1.381
CHF.13.808
250 - 740
CHF.1.065
CHF.10.649
750 - 1190
CHF.0.936
CHF.9.361
1200 - 1990
CHF.0.889
CHF.8.893
2000 +
CHF.0.843
CHF.8.449
*Bitte VPE beachten