ROHM RQ1C065UN N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 172-0527P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ1C065UNTR
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 500 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF.163.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 500 - 700 | CHF.0.326 |
| 750 - 1450 | CHF.0.294 |
| 1500 - 2450 | CHF.0.273 |
| 2500 + | CHF.0.263 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-0527P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ1C065UNTR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Serie | RQ1C065UN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 58 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 1,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 2.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Serie RQ1C065UN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 58 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 1,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11 nC @ 4,5 V | ||
Breite 2.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
MOSFETs werden als Geräte mit extrem niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich als mobile Ausrüstung für geringen Stromverbrauch. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei