- RS Best.-Nr.:
- 172-0546
- Herst. Teile-Nr.:
- R6004ENX
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 172-0546
- Herst. Teile-Nr.:
- R6004ENX
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Niedriger Betriebswiderstand.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Gate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±20 V
Einfache Antriebskreise möglich.
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Gate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±20 V
Einfache Antriebskreise möglich.
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220FM |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,36 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 40 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.8mm |
Länge | 10.3mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
Höhe | 15.4mm |