ROHM R6007ENX N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7 A 46 W, 3-Pin TO-220FM

RS Best.-Nr.:: 172-0548
Herst. Teile-Nr.:: R6007ENX
Marke:: ROHM

ROHM R6007ENX N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7 A 46 W, 3-Pin TO-220FM

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Herst. Teile-Nr.:: R6007ENX
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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: JP

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Niedriger Betriebswiderstand.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Gate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±20 V
Einfache Antriebskreise möglich.
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220FM
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	46 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
Länge	10.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.4mm
Diodendurchschlagsspannung	1.5V

RS Best.-Nr.:: 172-0548
Herst. Teile-Nr.:: R6007ENX
Marke:: ROHM