onsemi NVD5C464N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 59 A 40 W, 4-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 172-3318
Herst. Teile-Nr.:: NVD5C464NT4G
Marke:: onsemi

onsemi NVD5C464N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 59 A 40 W, 4-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: NVD5C464NT4G
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	59A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	NVD5C464N
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd	40W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	20nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	2.25mm
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie NVD5C464N
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd 40W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 2.25mm
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

700 V bei TJ = 150 °C

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 259 nC)

Geringere Schaltverluste

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1972 pF)

Geringere Schaltverluste

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Optimierte Kapazität

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Typ. RDS(on) = 23 mΩ

onsemi NVD5C464N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 59 A 40 W, 4-Pin TO-252

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