onsemi FCH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin FCH023N65S3L4 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
FCH023N65S3L4
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

FCH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

222nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

595W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.8mm

Höhe

22.74mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC

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