onsemi SuperFET II N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 144 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 172-4632P
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP190N65S3
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 172-4632P
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP190N65S3
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SuperFET II | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 144W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SuperFET II | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 144W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 16.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.
700 V bei TJ = 150 °C
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 30 nC)
Geringere Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 277 pF)
Geringere Schaltverluste
Optimierte Kapazität
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Interner Gate-Widerstand: 7,0 Ohm
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Typ. RDS(on) = 170 mΩ