onsemi NTMFS6H800N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-8781
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6H800NT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 172-8781
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 203A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NTMFS6H800N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 203A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NTMFS6H800N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
On Semiconductor
Der on Semiconductor DFN5 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 2,1 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Drain-Strom von 203 A und eine maximale Verlustleistung von 200 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 6 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Kompakte Bauweise
• bleifrei (Pb)
• Niedrige QG und Kapazität
• Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Niedriger RDS (ein) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Minimierung von Leitungsverlusten
• Minimieren von Treiberverlusten
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Anwendungen
• 48-V-Systeme
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• Motorsteuerung
• Netzschalter (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
• Schaltnetzteile
• Synchroner Gleichrichter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
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