onsemi NTMFS6H801N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
172-8785
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS6H801NT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

157A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NTMFS6H801N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Kompaktes Design

Niedriger RDS (EIN)

Minimiert Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität

Minimiert Treiberverluste

Anwendungsbereich

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

48-V-Systeme

Motorsteuerung

Lastschalter

DC/DC-Konverter

Synchroner Gleichrichter

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.