onsemi Einfach, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul / 28 A 240 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 172-8971
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSP3065A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.8.82 | CHF.17.63 |
| 10 - 98 | CHF.7.602 | CHF.15.20 |
| 100 - 248 | CHF.7.088 | CHF.14.18 |
| 250 - 498 | CHF.6.909 | CHF.13.82 |
| 500 + | CHF.6.741 | CHF.13.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-8971
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSP3065A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Durchlassspannung Vf | 2.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Durchlassspannung Vf 2.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Die on Semiconductor TO-220-2L Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode ist das neueste Produkt, das eine völlig neue Technologie verwendet, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit gegenüber Silizium bietet. Die Diode verfügt über viele Advanced Features wie temperaturunabhängige Schalteigenschaften und ausgezeichnete Wärmeleistung, die sie ohne jeden Fall zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation macht. Diese Diode bietet viele Vorteile wie höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und -kosten.
Eigenschaften und Vorteile
• Lawinenklasse 180 mJ
• Einfache Parallelschaltung
• Hohe Stoßstromkapazität
• Keine Rückwärts-Wiederherstellung/keine Vorwärts-Wiederherstellung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Positiver Temperaturkoeffizient
Anwendungen
• EV-Ladegerät
• Für allgemeine Anwendungen
• Industrielle Leistung
• PFC
• Leistungsschaltkreise
• SMPS
• Solarwechselrichter
• UPS
• Schweißgeräte
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
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