Semelab Einfach TetraFET Typ N-Kanal, Oberfläche METAL Gate-HF-Silizium-FET 65 V Erweiterung / 2 A, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 177-5491
- Herst. Teile-Nr.:
- D2020UK
- Marke:
- Semelab
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- RS Best.-Nr.:
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- D2020UK
- Marke:
- Semelab
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semelab | |
| Produkt Typ | METAL Gate-HF-Silizium-FET | |
| Betriebsfrequenz | 1 GHz | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Ausgangsleistung | 5W | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 65V | |
| Serie | TetraFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 5.08 mm | |
| Höhe | 2.18mm | |
| Länge | 4.06mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Leistungsverstärkung typisch | 13dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semelab | ||
Produkt Typ METAL Gate-HF-Silizium-FET | ||
Betriebsfrequenz 1 GHz | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Ausgangsleistung 5W | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 65V | ||
Serie TetraFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 5.08 mm | ||
Höhe 2.18mm | ||
Länge 4.06mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungsverstärkung typisch 13dB | ||
- Ursprungsland:
- GB
HF-MOSFET-Transistoren, Semelab
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