R6520KNX R6520KNX N-Kanal MOSFET, 650 V / 20 A, 68 W, TO-220FM 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 177-6260
  • Herst. Teile-Nr. R6520KNX
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Ursprungsland: JP
Produktdetails

Der R6520KNX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 20 A
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Gehäusegröße TO-220FM
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 68 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. ±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 10.3mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 4.8mm
Höhe 15.4mm
Diodendurchschlagsspannung 1.5V
Serie R6520KNX
2 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
CHF .2.153
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8
CHF.2.153
CHF.4.306
10 - 48
CHF.1.919
CHF.3.838
50 - 98
CHF.1.826
CHF.3.639
100 - 248
CHF.1.779
CHF.3.557
250 +
CHF.1.732
CHF.3.464
*Bitte VPE beachten