ROHM R6520KNX R6520KNX N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 177-6260
- Herst. Teile-Nr.:
- R6520KNX
- Marke:
- ROHM
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| 2 - 8 | CHF.1.89 | CHF.3.791 |
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| 50 - 98 | CHF.1.617 | CHF.3.245 |
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- Herst. Teile-Nr.:
- R6520KNX
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Der R6520KNX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-220FM |
| Serie | R6520KNX |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 68 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Länge | 10.3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.8mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Höhe | 15.4mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |