- RS Best.-Nr.:
- 177-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- R6011KND3TL1
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 177-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- R6011KND3TL1
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET R6011KND3 ist für Schaltnetzteile geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-252 |
Serie | R6011KND3 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 390 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 124 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 6.8mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Breite | 6.4mm |
Höhe | 2.4mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |