ROHM R6511KNJ R6511KNJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 124 W, 3-Pin TO-263S
- RS Best.-Nr.:
- 177-6436
- Herst. Teile-Nr.:
- R6511KNJTL
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 177-6436
- Herst. Teile-Nr.:
- R6511KNJTL
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Der R6511KNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Serie | R6511KNJ |
| Gehäusegröße | TO-263S |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 124 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Länge | 10.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 9.2mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 4.7mm |