- RS Best.-Nr.:
- 177-9691
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2106K1-G
- Marke:
- Microchip
Voraussichtlich ab 03.06.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF.0.483
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 + | CHF.0.483 | CHF.1'433.25 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 177-9691
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2106K1-G
- Marke:
- Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 280 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-236 |
Serie | TN2106 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 360 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.4mm |
Länge | 3.04mm |
Höhe | 1.02mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |