Microchip VP2450 VP2450N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 160 mA 1,6 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 177-9737P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2450N8-G
- Marke:
- Microchip
1990 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF.2.069
| Stück | Pro Stück |
| 5 + | CHF.2.069 |
- RS Best.-Nr.:
- 177-9737P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2450N8-G
- Marke:
- Microchip
- Ursprungsland:
- US
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Serie | VP2450 |
| Gehäusegröße | SOT-89 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 1,6 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Breite | 2.6mm |
| Länge | 4.6mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 177-9737P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2450N8-G
- Marke:
- Microchip
- Ursprungsland:
- US
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Serie | VP2450 |
| Gehäusegröße | SOT-89 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 1,6 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Breite | 2.6mm |
| Länge | 4.6mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.6mm |