Microchip Einfach TN0110 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 350 mA, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 177-9742P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0110N3-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 177-9742P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0110N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | TN0110 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.06mm | |
| Länge | 5.08mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie TN0110 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.06mm | ||
Länge 5.08mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Dieser Transistor mit niedrigem Schwellenwert und Enhancement-Modus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsbelastbarkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine eine sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Niedriger Schwellenwert – max. 2,0 V
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität – typisch 50 pF
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Durchlasswiderstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage