Vishay IRFD210PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 178-0916
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD210PBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 600 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Gehäusegröße | HVMDIP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,2 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 6.29mm |
| Höhe | 3.37mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |