Vishay IRFD9110PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 700 mA 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 178-0920
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9110PBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges maschineneinsetzbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard 0,1-Zoll-Stiftmitten gestapelt werden kann.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 700 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | HVMDIP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 1,3 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 6.29mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,7 nC @ 10 V |
| Länge | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 3.37mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |