Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 178-3716
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD40061EL_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 107 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 6.73mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 2.38mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Höhe | 6.22mm |