Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 30 A 16.7 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 178-3932P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3932P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 16.7W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 16.7W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3mm | ||
Breite 3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte Kombination für 50 % Tastverhältnis
Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen