onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin NTHL110N65S3F TO-247

RS Best.-Nr.:: 178-4486
Herst. Teile-Nr.:: NTHL110N65S3F
Marke:: onsemi

onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin NTHL110N65S3F TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.13.02

Auf Lager

410 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.6.51	CHF.13.03
20 +	CHF.5.607	CHF.11.23

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 178-4486
Herst. Teile-Nr.:: NTHL110N65S3F
Marke:: onsemi

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	NTHL
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	110mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	58nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	240W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	15.87mm
	Höhe	20.82mm
	Breite	4.82 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie NTHL
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 240W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 15.87mm
	Höhe 20.82mm
	Breite 4.82 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin NTHL110N65S3F TO-247

Verwandte Links