onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 83 A 56 W, 4-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 178-4640P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVD5C454NT4G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- VN
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und hoher Wärmeleistung. Für Automobilanwendungen geeignet.
Merkmale
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit
PPAP-fähig
Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen
Treiber für Niederspannungsseite
Treiber für Hochspannungsseite
Motorantrieb
Endprodukte
Automobil-Antriebsstrang
Automobil-HLK-Motoren
ABS-Druckpumpen
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