onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 27 A 120 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 178-4752
Herst. Teile-Nr.:: FQP27P06
Marke:: onsemi

onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 27 A 120 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 178-4752
Herst. Teile-Nr.:: FQP27P06
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	27A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	QFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	70mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	33nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	25 V
	Maximale Verlustleistung Pd	120W
	Durchlassspannung Vf	-4V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.7 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.4mm
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie QFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 25 V
	Maximale Verlustleistung Pd 120W
	Durchlassspannung Vf -4V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.7 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.4mm
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin TO-220

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor

Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 27 A 120 W, 3-Pin TO-220

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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