LND150N8-G N-Kanal MOSFET, 500 V / 30 mA, 1,6 W, TO-243AA 4-Pin

  • RS Best.-Nr. 178-5275
  • Herst. Teile-Nr. LND150N8-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 30 mA
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Drain-Source-Widerstand max. 1 kΩ
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-243AA
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 4
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Depletion
Verlustleistung max. 1,6 W
Länge 4.6mm
Breite 2.6mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 1.6mm
Transistor-Werkstoff Si
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Voraussichtlich ab 14.01.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2000)
CHF .0.480
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +
CHF.0.480
CHF.952.515
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