Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V / 29.7 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- RS Best.-Nr.:
- 180-7780P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA437DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7780P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA437DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70-6L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.065Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.05mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70-6L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.065Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.05mm | ||
Höhe 800μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay SIA437DJ ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-to-Source-Spannung (Vds) von -20 V und Gate-to-Source-Spannung (VGS) von 8 V. Es verfügt über ein Power PAK SC-70-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) von 0,0145 Ohm bei 4,5 VGS und 0,0205 Ohm bei 2,5 VGS. Maximaler Drain-Strom: 29,7 A.
Trench FET Leistungs-MOSFET
Thermisch verbessertes Power PAK SC-70-Gehäuse
100 % Rg geprüft