Vishay Einfach E N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 26 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-7790P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP25N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 2.798 |
| 125 - 245 | CHF 2.586 |
| 250 - 495 | CHF 2.434 |
| 500 + | CHF 2.283 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7790P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP25N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.145Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 10.52mm | |
| Höhe | 6.71mm | |
| Länge | 14.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 10.52mm | ||
Höhe 6.71mm | ||
Länge 14.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP25N50E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Einzeltransistor im TO-220AB-Gehäuse, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Umgebungstemperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Leistungsaufnahme und robuste Gate-Drive-Eigenschaften erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• Maximale Verlustleistung von 250 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 0.145 Ω Rds(on) reduzieren Leitungsverluste unter Last
• 86 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximal 30 V Vgs zulässig für gängige Gate-Drive-Spannungen
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• Maximale Verlustleistung von 250 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 0.145 Ω Rds(on) reduzieren Leitungsverluste unter Last
• 86 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximal 30 V Vgs zulässig für gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Stromversorgungen und Wandler
• Ideal für Schaltmodus-Leistungstopologien in Wechselrichtern
• Wird für Motorantriebsschaltkreise verwendet, die eine 500-V-Fähigkeit erfordern
• Kann für Hochspannungsrelais und Schutzschaltung verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Leistungsstufen in Umgebungen mit hohen Temperaturen
• Ideal für Schaltmodus-Leistungstopologien in Wechselrichtern
• Wird für Motorantriebsschaltkreise verwendet, die eine 500-V-Fähigkeit erfordern
• Kann für Hochspannungsrelais und Schutzschaltung verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Leistungsstufen in Umgebungen mit hohen Temperaturen
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Er funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Kaltstarts und erhöhte Betriebsbedingungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement aus?
Das TO-220AB-Format ermöglicht das Anschrauben an einen Kühlkörper für eine verbesserte Wärmeableitung und einen verbesserten Dauerwärmewiderstand.
Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten beachtet werden?
Halten Sie die Gate-Quellenspannung innerhalb von ±30 V, um die Gate-Schwellentoleranzen des Geräts nicht zu überschreiten.
Ist das Gerät für die Multichip-Implementierung konfiguriert?
Die Matrize enthält ein einzelnes Element pro Chip, daher erfordert die Parallelschaltung eine sorgfältige Stromverteilung.