Vishay SiP32431DR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 5.5 V / 1.2 A 250 mW, 6-Pin SC-70-6
- RS Best.-Nr.:
- 180-7822
- Herst. Teile-Nr.:
- SIP32431DR3-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7822
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- SIP32431DR3-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 5.5V | |
| Gehäusegröße | SC-70-6 | |
| Serie | SiP32431DR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 147mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 5.5V | ||
Gehäusegröße SC-70-6 | ||
Serie SiP32431DR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 147mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SiP32431DR von Vishay, 5,5 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIP32431DR3-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Transistor für die Oberflächenmontage, der für Niederspannungsschaltvorgänge in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für das Power-Management auf Board-Ebene vorgesehen, bei dem eine kleine Gehäusegröße und eine geringe Leistungsaufnahme erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 147 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,2 A für konstante Schaltlasten
• Drain-Source-Spannungsbegrenzung von 5,5 V, geeignet für Niederspannungsanlagen
• Verlustleistung von 250 mW für moderate thermische Lasten
• RoHS-konforme Konstruktion unterstützt bleifreie Fertigung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,2 A für konstante Schaltlasten
• Drain-Source-Spannungsbegrenzung von 5,5 V, geeignet für Niederspannungsanlagen
• Verlustleistung von 250 mW für moderate thermische Lasten
• RoHS-konforme Konstruktion unterstützt bleifreie Fertigung
Anwendungen
• Geeignet für die Stromversorgung tragbarer Geräte
• Ideal für Batterieschutz- und Lastschaltschaltkreise
• Einsatz mit kompakter Unterhaltungselektronik und Wearables
• Kann für Niederspannungs-Verpolungsschutz verwendet werden
• Geeignet für dicht bestückte SMD-Baugruppen
• Ideal für Batterieschutz- und Lastschaltschaltkreise
• Einsatz mit kompakter Unterhaltungselektronik und Wearables
• Kann für Niederspannungs-Verpolungsschutz verwendet werden
• Geeignet für dicht bestückte SMD-Baugruppen
Welche Montageart ist für die Integration auf eine Platine erforderlich?
Er wird in einem 6-poligen SC-70-6-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für das Reflow-Löten und die enge Platzierung von Bauteilen konzipiert ist.
Wie wirkt sich die Temperatur auf den Betriebsbereich aus?
Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 85 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter typischen Industrie- und Verbraucherumgebungsbedingungen.
Welche Pinanzahl und Kanalpolarität sollten Entwickler erwarten?
Die Komponente verfügt über sechs Pins und verwendet einen P-Typ-Kanal für High-Side-Schaltanordnungen.
Gibt es Größenbeschränkungen, die für kompakte Designs wichtig sind?
Seine Gehäusehöhe, -länge und -breite messen 1,1 mm, 2,15 mm bzw. 2,2 mm, was Implementierungen mit sehr geringer Grundfläche ermöglicht.
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