Vishay Doppelt SI7216DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 20.8 W, 8-Pin PowerPack
- RS Best.-Nr.:
- 180-7922P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7216DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7922P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7216DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SI7216DN | |
| Gehäusegröße | PowerPack | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SI7216DN | ||
Gehäusegröße PowerPack | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.
Trench FET power MOSFET
Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile
100 % Rg and UIS tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC