Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 50 A 136 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 180-7935P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD50P08-25L-E3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|
| 50 - 120 | CHF.2.131 |
| 125 - 245 | CHF.1.959 |
| 250 - 495 | CHF.1.697 |
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7935P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD50P08-25L-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0252Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0252Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-252-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 25,2 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 136 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Adapterschalter
• Lastschalter
• Notebook-PCs