Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-8002P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4900DY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 99.00
- Letzte 4'630 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.99 |
| 250 - 490 | CHF 0.778 |
| 500 - 990 | CHF 0.677 |
| 1000 + | CHF 0.545 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8002P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4900DY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.058Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 4.8mm | |
| Höhe | 1.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.058Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Länge 4.8mm | ||
Höhe 1.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
