Vishay Einfach N-Kanal 1 MOSFET 100 V / 42 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 180-8020P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ488EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8020P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ488EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.021Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.25mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Höhe | 1.14mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.021Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.25mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Höhe 1.14mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay SQJ457EP ist ein Automobil-N-Kanal-MOSFET mit 175 °C maximaler Sperrschichttemperatur und einem Spannungsablass an eine Quelle (Vds) von 100 V. Die Gate-Quelle-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein Power PAK SO-8L-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,021 Ohm bei 10 VGS und 0,0258 Ohm bei 4,5 VGS. Maximaler Drain-Strom: 42 A.
Trench FET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft