Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 25 A 136 W TO-252AA
- RS Best.-Nr.:
- 180-8043P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD25N15-52-E3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- SUD25N15-52-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-252AA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.052Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-252AA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.052Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 150V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 136W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• PWM optimised
• TrenchFET power MOSFET
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