Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19.7 A 3.6 W, 8-Pin SI4425DDY-T1-GE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SI4425DDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

6.2 mm

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 9.8mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5.7W and continuous drain current of 19.7A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Desktop PCs

• Load switches

• Notebook PCs

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

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